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  AENI研发中心中国(大陆)总部座落在上海,承担着AENI公司面向市场的直流磁控溅射电源、RF射频电源产品的研究开发以及早期产品升级换代工作。作为产学研合作与联合的研发实体,同时又是大企业与重点大学全面合作的载体,参与了国内的多所大学的科研课题研究、教学和行业协会的技术培训活动。
  AENI研发中心现已建成国内较为完善的研发平台体系。包括应用基础研究中心、产品开发中心、公共研发支持平台(检测中心、中试中心、数据信息中心、技术培训与学术交流中心)。AENI研发中心设有离子源技术、双极直流脉冲技术、阴极磁控溅射技术、RF射频技术等研究机构。研发中心是AENI等离子体产业技术研究与发展中心,担当着AENI核心技术与前端技术的研发、新产品的开发与产业升级,产品结构调整的重任。
  AENI研发中心汇聚了专职技术开发人员数50多人,其中一半以上人员拥有高级中级职称,高级专家和博士近10多人,硕士30多人,其中外籍专家和归国留学生占30%,另外,70%以上的科研开发人员为40岁以下的青年人。
  AENI历来重视研发投入,每年投入的研究与发展经费占产品销售收入的10%以上。先后组建了表面工程处理实验室、导电膜实验室,性能评测室及电路CAD机房等,全部达到国际标准要求的试验环境要求。实验室内配备各种先进仪器仪表几百余台套,许多仪器仪表居于国际领先水平,满足了适合各个行业沉积镀膜设备电源系统的开发、实验、检测需求。
  技术创新的基础是人才的聚集和培养,多年来AENI坚持“以人为本”的经营宗旨。建立了“求人、用人、育人、晋人、留人”的人力资源开发机制,完善了“待遇留人、事业留人、氛围留人”的文化,形成了良好的人力资源开发和管理体系。设在德国总部的培训中心,为研发人员的知识更新与发展创造了良好的条件。
  AENI的研究人员可以同业务部门精诚合作,战略性开发面向未来的技术平台。AENI所有的研发活动都是在企业研发中心的倾力合作中完成的。研发中心的科学家还经常参与并推动产品创新,特别是在碰到高风险项目时。每个中心都拥有非常专业的人才,可以为每个项目提供最优秀的专家。

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